Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode
Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode
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在完全反转模式下工作的 SOI MOSFET 的缩放规则
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hanajiri
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakajima;Y.Nakajima;T.Hanajiri;T.Hanajiri
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通讯作者：
Ronald R. Troutman
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DOI：
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作者：
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通讯作者：
Y. Omura