Resist Outgassing Characteristics in Extreme Ultraviolet Lithography,
Resist Outgassing Characteristics in Extreme Ultraviolet Lithography,
复制标题
极紫外光刻中的抗逸气特性，
DOI：
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复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Komano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Watanabe;K.Hamamoto;H.Kinoshita;H.Hada;H.Komano
EUV光刻中CA抗蚀剂的特性
影响因子：
0.8
作者：
K. Hamamoto;Takeo Watanabe;H. Hada;H. Komano;H. Kinoshita
通讯作者：
H. Kinoshita
抵抗 EUV 辐射的脱气
影响因子：
0.8
作者：
Takeo Watanabe;K. Hamamoto;H. Kinoshita;H. Tsubakino;H. Hada;H. Komano;M. Endo;M. Sasago
通讯作者：
M. Sasago
通过 EUV 光刻复制精细图案
影响因子：
0.8
作者：
K. Hamamoto;Takeo Watanabe;H. Tsubakino;H. Kinoshita;T. Shoki;M. Hosoya
通讯作者：
M. Hosoya