Exploration of vertical scaling limit in carbon nanotube transistors
Exploration of vertical scaling limit in carbon nanotube transistors
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碳纳米管晶体管垂直缩放极限的探索
DOI：
10.1063/1.4949336
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发表时间：
2016-05
影响因子：
4
通讯作者：
Peng Lian-Mao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qiu Chenguang;Zhang Zhiyong;Yang Yingjun;Xiao Mengmeng;Ding Li;Peng Lian-Mao
Top-gated carbon nanotube field-effect transistors (CNT FETs) were fabricated by using ultra-thin (4.5 nm or thinner) atomic-layer-deposition grown HfO2 as gate insulator, and shown to exhibit high gate efficiency, i.e., all examined (totally 76) devices
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通讯作者：
Peng, Lian-Mao
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作者：
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通讯作者：
Peng, Lian-Mao
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作者：
L. Ding;Zhiyong Zhang;J. Su;Qunqing Li;Lianmao Peng
通讯作者：
L. Ding;Zhiyong Zhang;J. Su;Qunqing Li;Lianmao Peng
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4
作者：
L. Ding;Shibo Liang;T. Pei;Zhiyong Zhang;Sheng Wang;Weiwei Zhou;Jie Liu;Lianmao Peng
通讯作者：
L. Ding;Shibo Liang;T. Pei;Zhiyong Zhang;Sheng Wang;Weiwei Zhou;Jie Liu;Lianmao Peng
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作者：
Wang, S.;Liang, X. L.;Shen, J.;Chen, Q.;Zhang, Z. Y.;Li, Y.;Peng, L. -M.;Xu, H. L.;Ding, L.;Cui, R. L.
通讯作者：
Cui, R. L.