High-performance n-type carbon nanotube field-effect transistors with estimated sub-10-ps gate delay
High-performance n-type carbon nanotube field-effect transistors with estimated sub-10-ps gate delay
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估计门延迟低于 10ps 的高性能 n 型碳纳米管场效应晶体管
DOI：
10.1063/1.2907696
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发表时间：
2008-04
影响因子：
4
通讯作者：
Cui, R. L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, S.;Liang, X. L.;Shen, J.;Chen, Q.;Zhang, Z. Y.;Li, Y.;Peng, L. -M.;Xu, H. L.;Ding, L.;Cui, R. L.
高性能顶门控n型单壁碳纳米管场效应晶体管（fet）使用钪触点和HfO2栅极氧化物制成，并与最先进的n型Si金属氧化物半导体场效应晶体管（fet）进行了基准测试。研究发现，n型碳纳米管场效应管的两个关键器件指标，即单位宽度的内在门延迟（CV∕I）和能量延迟积（CV∕I⋅CV2）比Si器件有显著改善。特别是，基于直径为1.1nm，通道长度为220nm的碳纳米管的n型碳纳米管场效应管的栅极延迟时间估计为2.1ps。
High-performance top-gated n-type single-walled carbon nanotube (CNT) field-effect transistors (FETs) have been fabricated using scandium contacts and HfO2 gate oxide and are benchmarked against the state-of-the-art n-type Si metal-oxide semiconductor FETs. Two key device metrics, the intrinsic gate-delay (CV∕I) and energy-delay product (CV∕I⋅CV2) per unit width, of the n-type CNT FETs are found to show significant improvement over the Si devices. In particular, the gate-delay time is estimated to be 2.1ps for an n-type CNT FET which is based on a CNT with a diameter of 1.1nm and a channel length of 220nm.
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