Measurement of the strain in strained-Si/Si_<0.79>Ge_<0.21> eith HRBS/channeling
Measurement of the strain in strained-Si/Si_<0.79>Ge_<0.21> eith HRBS/channeling
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通过 HRBS/沟道测量应变 Si/Si_<0.79>Ge_<0.21> 中的应变
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Harima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Matsushita;W.Sakai;K.Nakajima;M.Suzuki;K.Kimura;A.Agarwal;H.-J.Gossmann;M.Ameen;H.Harima
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影响因子：
3.2
作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
通讯作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
利用沟道技术分析超薄 GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs 单量子阱结构的应变
DOI：
10.1016/0168-583x(95)01081-5
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Kozanecki;J. Kaczanowski;B. Sealy;W. Gillin
通讯作者：
W. Gillin
DOI：
10.1063/1.97694
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Davidson;L. Feldman;J. Bevk;J. Mannaerts
通讯作者：
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应变 NiSi2/Si (001) 界面处的转向效应
DOI：
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
B. Hunt
高分辨率 RBS：原子级表征的强大工具
DOI：
10.1016/j.nimb.2004.01.081
发表时间：
2004
影响因子：
1.3
作者：
K. Kimura;S. Joumori;Y. Oota;K. Nakajima;Motofumi Suzuki
通讯作者：
Motofumi Suzuki