InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well Exhibiting Giant Electrorefractive Index Change
InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well Exhibiting Giant Electrorefractive Index Change
复制标题
InGaAs/InAlAs五层不对称耦合量子阱表现出巨大的电折射率变化
DOI：
10.1143/jjap.50.032204
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ide and K. Tada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Arakawa;T. Toya;M. Ushigome;K. Yamaguchi;T. Ide and K. Tada
提出了一种具有巨大电折射率变化的InGaAs/InAlAs五层非对称耦合量子阱(FACQW)，并对其进行了理论和实验研究。在F=-30到-60千伏/厘米的电场下，可以预期在宽度超过100 nm的波长范围内具有巨大的电折变灵敏度|dN/dF|(4.4×10-4 cm/kV)。利用分子束外延(MBE)技术成功地制备了FACQW结构。光吸收电流的测量结果与理论相符。FACQW的巨大电折射率变化对于实现低电压、高速度的紧凑型马赫-曾德尔调制器和开关是非常有希望的。
An InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW) exhibiting a giant electrorefractive index change was proposed and has been studied theoretically and experimentally. Giant electrorefractive sensitivity| dn/dF|(4.4× 10-4 cm/kV) at a wavelength range with a width of over 100 nm can be expected at an electric field of approximately F=-30 to-60 kV/cm. The FACQW structure was successfully fabricated using molecular beam epitaxy (MBE). The results of photoabsorption current measurements are consistent with the theory. The giant electrorefractive index change of the FACQW is very promising for realizing low-voltage and high-speed compact Mach–Zehnder modulators and switches.
登录
查看更多内容
量子阱中量子限制斯塔克效应引起的二次电光效应
影响因子：
4
作者：
J. Weiner;D. Miller;D. Chemla
通讯作者：
D. Chemla
GaAs-AlxGa1-xAs 量子阱在外加电场中的电子特性和光学吸收光谱。
影响因子：
3.7
作者：
Sanders Gd;Bajaj Kk
通讯作者：
Bajaj Kk
基于GaInAs-InP耦合不对称量子阱激子效应的折射率调制
影响因子：
2.5
作者：
C. Thirstrup
通讯作者：
C. Thirstrup
驱动电压为 2.3V 的 40gb/s InGaAlAs-InAlAs MQW n-i-n Mach-Zehnder 调制器
影响因子：
2.6
作者：
K. Tsuzuki;T. Ishibashi;T. Ito;S. Oku;Y. Shibata;R. Iga;Y. Kondo;Y. Tohmori
通讯作者：
Y. Tohmori
调制掺杂半导体量子阱中的光吸收理论。
DOI：
--
发表时间：
1987
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Sanders;Chang
通讯作者：
Chang