Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for Mm-wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications
Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for Mm-wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications
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用于毫米波系统技术、建模和电路应用的硅-锗异质结双极晶体管
DOI：
10.13052/rp-9788793519602
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Schroter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Rinaldi;M. Schroter
制造和电路设计通过紧凑的器件建模联系在一起；即，在晶片上制造的器件的电特性由适合于电路仿真和优化的足够简单但最好是基于静态物理的模型来表示。由于器件复杂性、制造成本和制造时间的急剧增加，建模的重要性已经迅速增长。为了保持竞争力，工业界对高频(HF)模拟电路的首通成功的需求越来越大。对于Sigec HBT技术，从生产到最先进的工艺，标准紧凑型双极晶体管HICUM/L2[Schr10]已经成功地解决了这一问题。然而，对于实际应用，紧凑的模型(CM)本身是不够的。它的模型参数需要根据终端(电流、电压)特性的测量确定，最好利用巧妙的测试结构和数学处理(所谓的参数提取方法)，以便能够分离各种通常叠加的物理效应及其相关参数。一致的基于物理的参数提取方法为给定工艺提供了精确的几何可伸缩和统计器件模型，不仅是首次通过设计成功的关键因素，而且还为工艺开发提供了重要信息。DOTSEN的一个目标是开发
Fabrication and circuit design are linked by compact device modeling; i.e., the electrical characteristics of the devices fabricated on a wafer are represented by sufficiently simple but preferably still physics-based models that are suitable for circuit simulation and optimization. The importance of modeling has been growing rapidly due to strongly increased device complexity, manufacturing cost, and fabrication time. There is an increased demand from industry for first-pass success of high-frequency (HF) analog circuits in order to stay competitive. For SiGeC HBT technologies, ranging from production to the most advanced process, this has been successfully addressed by the standard compact bipolar transistor model HICUM/L2 [Schr10]. For practical applications, a compact model (CM) itself is not sufficient though. Its model parameters need to be determined from measurements of terminal (current, voltage) characteristics, preferably making use of clever test structures and mathematical manipulations (so-called parameter extraction methods) in order to be able to separate the various, often superimposed, physical effects and their related parameters. Consistent physics-based parameter extraction methods that provide for a given process accurate geometry-scalable and statistical device models not only represent a key enabler to first-pass design success but also yield important information for process development. One objective of DOTSEVEN was the development of
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--
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通讯作者：
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--
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通讯作者：
A. Pawlak;S. Lehmann;P. Sakalas;J. Krause;K. Aufinger;B. Ardouin;M. Schroter