Photoluminescence of Si from Si nanocrystal-doped SiO2/Si multilayered sample
Photoluminescence of Si from Si nanocrystal-doped SiO2/Si multilayered sample
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硅纳米晶掺杂 SiO2/Si 多层样品中 Si 的光致发光
DOI：
10.1016/j.apsusc.2011.06.068
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发表时间：
2011-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Miao Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yong-bin Chen;陆明;Yong Ren;Xing-wang Zhang;You-yuan Zhao;Miao Zhang
研究了多层硅纳米晶掺杂的 SiO2/Si（或 Si-nc:SiO2/Si）样品结构，通过调节过量的 Si 浓度来获得 Si 的强光致发光 (PL) 发射。 Si-nc:SiO2 由 SiO 薄膜热退火后形成。 SiO层的总厚度保持为150nm，并被Si夹层等分为多个子层（N=3、5、10或30）。对于每个N层样品，可以通过优化Si夹层（或dSi）的厚度来获得Si的最大PL强度。该最大 PL 强度随 N 变化，但 Si 与 O 的比率几乎是恒定的。发现最亮的样品是 N=10 和 dSi=1nm 的样品，其 PL 强度是没有额外 Si 掺杂的 N=1 的 ∼5 倍，是通过 SiO 和 Si 以相同的最佳 Si 与 O 比例共蒸发制备的 Si-nc:SiO2 的 ∼2.5 倍。基于 PL、TEM、EDX 和反射率测量进行了讨论。
A multilayered Si nanocrystal-doped SiO2/Si (or Si-nc:SiO2/Si) sample structure is studied to acquire strong photoluminescence (PL) emission of Si via modulating excess Si concentration. The Si-nc:SiO2results from SiO thin film after thermal annealing. The total thickness of SiO layer remains 150nm, and is partitioned equally into a number of sublayers (N=3, 5, 10, or 30) by Si interlayers. For each N-layered sample, a maximal PL intensity of Si can be obtained via optimizing the thickness of Si interlayer (or dSi). This maximal PL intensity varies with N, but the ratio of Si to O is nearly a constant. The brightest sample is found to be that of N=10 and dSi=1nm, whose PL intensity is ∼5 times that of N=1 without additional Si doping, and ∼2.5 times that of Si-nc:SiO2prepared by co-evaporating of SiO and Si at the same optimized ratio of Si to O. Discussions are made based on PL, TEM, EDX and reflectance measurements.
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影响因子：
64.8
作者：
Lorenzo Pavesi;L. D. Negro;C. Mazzoleni;G. Franzò;F. Priolo
通讯作者：
Lorenzo Pavesi;L. D. Negro;C. Mazzoleni;G. Franzò;F. Priolo
影响因子：
64.8
作者：
LU, ZH;LOCKWOOD, DJ;BARIBEAU, JM
通讯作者：
BARIBEAU, JM
影响因子：
3.9
作者：
U. Kahler;H. Hofmeister
通讯作者：
U. Kahler;H. Hofmeister
影响因子：
3.9
作者：
Dal Negro, L;Pavesi, L;Priolo, F
通讯作者：
Priolo, F
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
O. Bisi;S. U. Campisano;L. Pavesi;F. Priolo
通讯作者：
O. Bisi;S. U. Campisano;L. Pavesi;F. Priolo