Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
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通过金属有机化学气相沉积在低温 GaN 缓冲层上生长的 AlGaN 薄膜中 Al 成分的变化
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.09.167
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发表时间：
2008-12
影响因子：
1.8
通讯作者：
Ploog, K. H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao, D. G.;Jiang, D. S.;Zhu, J. J.;Liu, Z. S.;Zhang, S. M.;Yang, Hui;Jahn, U.;Ploog, K. H.
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影响因子：
4
作者：
W. Ke;C. Ku;H. Y. Huang;W. C. Chen;L. Lee;W. K. Chen;W. Chou;Wen-Hsiung Chen;M. C. Lee;W. J. Lin;Y. Cheng;Y. Cherng
通讯作者：
W. Ke;C. Ku;H. Y. Huang;W. C. Chen;L. Lee;W. K. Chen;W. Chou;Wen-Hsiung Chen;M. C. Lee;W. J. Lin;Y. Cheng;Y. Cherng
DOI：
10.1088/0022-3727/40/4/031
发表时间：
2007-02
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
X. Wang;D. G. Zhao;U. Jahn;K. Ploog;D. Jiang;H. Yang;J. W. Liang
通讯作者：
X. Wang;D. G. Zhao;U. Jahn;K. Ploog;D. Jiang;H. Yang;J. W. Liang
影响因子：
1.8
作者：
Hailong Zhou;S. Chua;C. Peng
通讯作者：
Hailong Zhou;S. Chua;C. Peng
DOI：
10.1002/pssa.200673538
发表时间：
2007-01
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
U. Jahn;D. Jiang;K. Ploog;Xiaolan Wang;Degang Zhao;Hui Yang
通讯作者：
U. Jahn;D. Jiang;K. Ploog;Xiaolan Wang;Degang Zhao;Hui Yang
影响因子：
4
作者：
Dongshan Zhao;Juye Zhu;Zhongxin Liu;S. Zhang;Hui Yang;D. Jiang
通讯作者：
Dongshan Zhao;Juye Zhu;Zhongxin Liu;S. Zhang;Hui Yang;D. Jiang