Investigation of Saturation Magnetization and Damping in Tb/Cr/Fe Trilayers
Investigation of Saturation Magnetization and Damping in Tb/Cr/Fe Trilayers
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Tb/Cr/Fe 三层材料的饱和磁化强度和阻尼研究
DOI：
10.1109/tmag.2015.2443063
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发表时间：
2015-11
影响因子：
2.1
通讯作者：
Zhai H. R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun L.;Zhang W.;Wong P. K. J.;Zhang D.;Huang Z. C.;Zhai Y.;Kou Z. X.;Du J.;Sui Y. X.;Zhai H. R.
用X射线衍射、振动样品磁强计和铁磁共振等方法研究了不同Cr层厚度的Tb（4 nm）/Cr（tnm）/Fe（5 nm）三层薄膜。当Cr薄膜厚度小于1.8nm时，Tb和Fe的铁磁耦合导致了比Fe（5 nm）薄膜更高的饱和磁化强度（Ms）。另一方面，发现所有三层中的吉尔伯特阻尼常数α都超过了Fe的量级。当Cr层厚度为1 nm时，α增加了38%，Ms增加了6%;当Cr层厚度为4 nm时，α增加了46%，而Ms仅减少了5%。因此，我们已经证明了一种方法，同时提高阻尼和磁矩在Tb（4 nm）/Cr（t nm）/Fe（5 nm）三层。
The Tb(4 nm)/Cr(t nm)/Fe(5 nm) trilayers with different thicknesses of Cr layer have been investigated by X-ray diffraction, vibrating sample magnetometer, and ferromagnetic resonance. When Cr is thinner than 1.8 nm, the ferromagnetic coupling of Tb and Fe leads to higher saturation magnetization (Ms) than that of Fe(5 nm) film. On the other hand, the Gilbert damping constant α in all the trilayers have been found to exceed the magnitude of the Fe. In particular, when Cr layer is 1 nm thick, α increases by 38% and Ms is increased by 6%; when Cr layer is 4 nm thick, α is increased by 46%, while Ms is only decreased by 5%. Accordingly, we have demonstrated a way for enhancing damping and magnetic moment simultaneously in the Tb(4 nm)/Cr(t nm)/Fe(5 nm) trilayers.
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DOI：
10.1088/0953-8984/3/38/005
发表时间：
1991-09
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Hong-shuo Li;Y. P. Li;J. Coey
通讯作者：
Hong-shuo Li;Y. P. Li;J. Coey
DOI：
10.1002/pssc.201084182
发表时间：
2010
期刊：
2010 8th International Vacuum Electron Sources Conference and Nanocarbon
影响因子：
--
作者：
C. Luo;L. Sun;Y. Zhang;H. Huang;M. Yang;Y. Zhai;J. Du;H. Zhai
通讯作者：
C. Luo;L. Sun;Y. Zhang;H. Huang;M. Yang;Y. Zhai;J. Du;H. Zhai
影响因子：
2.7
作者：
M. Loewenhaupt;W. Hahn;Y. Y. Huang-Y.;G. Felcher;S. Parkin
通讯作者：
M. Loewenhaupt;W. Hahn;Y. Y. Huang-Y.;G. Felcher;S. Parkin
影响因子：
3.2
作者：
HANSEN, P;CLAUSEN, C;WITTER, K
通讯作者：
WITTER, K
影响因子：
8.6
作者：
R. Koch;G. Grinstein;G. Keefe;Yu Lu;P. Trouilloud;W. Gallagher;S. Parkin
通讯作者：
R. Koch;G. Grinstein;G. Keefe;Yu Lu;P. Trouilloud;W. Gallagher;S. Parkin