A New Measurement Technique of Low-Level Strain Retardation in Optoelectronic Materials
A New Measurement Technique of Low-Level Strain Retardation in Optoelectronic Materials
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光电材料低应变延迟测量新技术
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kensue Ichinose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenji Gomi;Yasushi Niitsu;Kensue Ichinose
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影响因子：
2.4
作者：
SARMA, AVSSSR;PILLAI, SA;VARADAN, TK
通讯作者：
VARADAN, TK
半绝缘 GaAs 晶圆的扫描双折射测绘
DOI：
10.1109/sim.1992.752701
发表时间：
1992
期刊：
Proceedings of the 7th Conference on Semi-insulating III-V Materials,
影响因子：
--
作者：
R. Clayton;I.C. Bassignana;D.A. Macquistan;C. Miner
通讯作者：
C. Miner
光学材料中低水平应变延迟的测量
影响因子：
1.7
作者：
T. Oakberg
通讯作者：
T. Oakberg
使用相位步进与解调和模糊集进行双折射测量
影响因子：
4.6
作者：
Z. F. Wang;E. Patterson
通讯作者：
E. Patterson
通过相位步进自动偏光镜对高模量蓝宝石光纤周围的基体应力进行光弹性分析
DOI：
10.1016/j.compositesa.2004.06.033
发表时间：
2005
影响因子：
8.7
作者：
F. Zhao;R. Martin;S. Hayes;E. Patterson;R. Young;F. Jones
通讯作者：
F. Jones