S. Motoyama, N. Morikawa and S. Kaneda: "Low temperature growth and its growth mechanism of 3C-SiC crystal by gas source molecular beam epitaxial method." Journal Crystal Growth, (1990).
S. Motoyama, N. Morikawa and S. Kaneda: "Low temperature growth and its growth mechanism of 3C-SiC crystal by gas source molecular beam epitaxial method." Journal Crystal Growth, (1990).
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S. Motoyama、N. Morikawa和S. Kaneda：“气源分子束外延法3C-SiC晶体的低温生长及其生长机制”。
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