Stability of HF-etched Si(100) surfaces in oxygen ambient
Stability of HF-etched Si(100) surfaces in oxygen ambient
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HF 蚀刻 Si(100) 表面在氧气环境中的稳定性
DOI：
10.1063/1.1425461
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发表时间：
2001
影响因子：
4
通讯作者：
E. Chaban
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Zhang;E. Garfunkel;Y. Chabal;S. Christman;E. Chaban
在原位多次内反射红外吸收光谱的H-钝化的硅表面在受控的氧环境中揭示，直接氧掺入到表面硅-硅键发生没有表面氢去除，在550-590 K的温度范围内为1-20毫托O2压力。O2插入过程的动力学显示1.6至1.7 eV的总体有效活化能和主要由Si-H空间位阻控制的前因子，O2访问Si-Si背键。
In situ multiple internal reflection infrared absorption spectroscopy of H-passivated silicon surfaces in controlled oxygen environments reveals that direct oxygen incorporation into the surface Si–Si bonds occurs without surface hydrogen removal, in the temperature range of 550–590 K for 1–20 mTorr O2 pressures. The kinetics of the O2 insertion process display overall effective activation energies of 1.6 to 1.7 eV and prefactors controlled primarily by Si–H steric hindrance for O2 to access Si–Si backbonds.
H.Ikeda：“通过随机顺序吸附模型分析 H 封端 Si(100) 表面的初始氧化过程”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
--
影响因子：
4
作者：
HIGASHI, GS;CHABAL, YJ;RAGHAVACHARI, K
通讯作者：
RAGHAVACHARI, K
DOI：
10.1116/1.575980
发表时间：
1989-05-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
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作者：
CHABAL, YJ;HIGASHI, GS;BURROWS, VA
通讯作者：
BURROWS, VA