H.Ikeda: "Initial Oxidation Proceses of H-Terminated Si(100) Surfaces Analyzed by a Random Sequential Adsorption Model" Jpn.J.Appl.Phys.
H.Ikeda: "Initial Oxidation Proceses of H-Terminated Si(100) Surfaces Analyzed by a Random Sequential Adsorption Model" Jpn.J.Appl.Phys.
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H.Ikeda：“通过随机顺序吸附模型分析 H 封端 Si(100) 表面的初始氧化过程”Jpn.J.Appl.Phys。
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
预暴露于亚单层范围内氧气的 Si(100) 表面的 Si-H 伸缩频率的化学位移
影响因子：
1.9
作者：
J. Schaefer;D. Frankel;F. Stucki;W. Göpel;G. Lapeyre
通讯作者：
G. Lapeyre
高分辨率电子能量损失谱研究 H 封端 Si(100) 表面的初始氧化过程
影响因子：
1.5
作者：
H. Ikeda;K. Hotta;S. Furuta;S. Zaima;Y. Yasuda
通讯作者：
Y. Yasuda
氢对H端Si(100)表面初始氧化过程的影响
影响因子：
6.7
作者：
H. Ikeda;K. Hotta;S. Furuta;S. Zaima;Y. Yasuda
通讯作者：
Y. Yasuda