Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi
Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi
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InPBi 中带隙以下光致发光的负热猝灭
DOI：
10.1063/1.4975586
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发表时间：
2017-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jun Shao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wenwu Pan;Zhen Qi;Shumin Wang;Jun Shao
本文报道了InP_（1-x）Bix（x = 0.019和0.023）中带隙以下电子空穴复合和PL强度的反常负热猝灭的温度相关（10-280 K）光致发光（PL）研究。四个PL特征得到了很好的解决
This paper reports a temperature-dependent (10–280 K) photoluminescence (PL) study of below-bandgap electron-hole recombinations and anomalous negative thermal quenching of PL intensity in InP1–xBix (x = 0.019 and 0.023). Four PL features are well resolve
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通讯作者：
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影响因子：
4
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M. Trunk;V. Venkatachalapathy;A. Galeckas;A. Kuznetsov
通讯作者：
M. Trunk;V. Venkatachalapathy;A. Galeckas;A. Kuznetsov
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
Mascarenhas, A.
影响因子：
3.7
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G. Callsen;M. R. Wagner;T. Kure;J. Reparaz;M. Bügler;J. Brunnmeier;C. Nenstiel;A. Hoffmann;M. Hoffmann;J. Tweedie;Z. Bryan;S. Aygun;R. Kirste;R. Collazo;Z. Sitar
通讯作者：
G. Callsen;M. R. Wagner;T. Kure;J. Reparaz;M. Bügler;J. Brunnmeier;C. Nenstiel;A. Hoffmann;M. Hoffmann;J. Tweedie;Z. Bryan;S. Aygun;R. Kirste;R. Collazo;Z. Sitar
影响因子：
3.6
作者：
P. Leyral;G. Brémond;A. Nouailhat;G. Guillot
通讯作者：
P. Leyral;G. Brémond;A. Nouailhat;G. Guillot