Optical properties of m-plane GaN grown on patterned Si(112) substrates by MOCVD using a two-step approach
Optical properties of m-plane GaN grown on patterned Si(112) substrates by MOCVD using a two-step approach
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使用两步法通过 MOCVD 在图案化 Si(112) 衬底上生长的 m 面 GaN 的光学特性
DOI：
10.1117/12.2037930
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Morkoç
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Izyumskaya;S. Okur;F. Zhang;M. Monavarian;V. Avrutin;Ü. Özgür;S. Metzner;C. Karbaum;F. Bertram;J. Christen;H. Morkoç
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在图像化Si（112）衬底上生长了非极平面GaN层。采用低压（30 Torr）和高压（200 Torr）两步生长工艺，第一步确保它们形成平面面，第一步提高光学质量。两步生长的层的光学质量得到了改善：近波段光致发光强度比低压生长的层高3倍左右，深发射明显减弱。但是，与相同条件下生长的极性和半极性参考样品（1 100）相比，- gan的发射强度仍然较低。为了揭示这一问题，利用空间分辨阴极发光和近场扫描光学显微镜研究了非极性GaN/Si的c+和c -翼的光发射空间分布。
Nonpolarm-plane GaN layers were grown on patterned Si (112) substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). A two-step growth procedure involving a low-pressure (30 Torr) first step to ensure formation of them-plane facet and a high-pressure step (200 Torr) for improvement of optical quality was employed. The layers grown in two steps show improvement of the optical quality: the near-bandedge photoluminescence (PL) intensity is about 3 times higher than that for the layers grown at low pressure, and deep emission is considerably weaker. However, emission intensity fromm-GaN is still lower than that of polar and semipolar (1 100 ) reference samples grown under the same conditions. To shed light on this problem, spatial distribution of optical emission over the c+and c−wings of the nonpolar GaN/Si was studied by spatially resolved cathodoluminescence and near-field scanning optical microscopy.
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影响因子：
4
作者：
X. Ni;M. Wu;J. Lee;Xing Li;A. Baski;Ü. Özgür;H. Morkoç
通讯作者：
X. Ni;M. Wu;J. Lee;Xing Li;A. Baski;Ü. Özgür;H. Morkoç
影响因子：
3.4
作者：
Masui, Hisashi;Asamizu, Hirokuni;DenBaars, Steven P.
通讯作者：
DenBaars, Steven P.
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Takeuchi, T;Amano, H;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I
(1 1 0 0) 和 (0 0 0 1) GaN 上同质外延生长的 GaN/AlGaN MQW 的比较研究
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Bhattacharyya;I. Friel;S. Iyer;T. Chen;Wei Li;J. Cabalu;Y. Fedyunin;K. Ludwig;T. Moustakas;H. Maruska;D. Hill;J. Gallagher;M. Chou;B. Chai
通讯作者：
B. Chai
MOCVD 在 Si(1 1 2) 图案化衬底上横向外延生长非极性 GaN( 1 1Ì 0 0)
影响因子：
1.8
作者：
N. Izyumskaya;S.J. Liu;V. Avrutin;X.F. Ni;Ü. Özgür;S. Metzner;F. Bertram;J. Christen;L. Zhou;David J. Smith;H. Morkoç
通讯作者：
H. Morkoç