Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN( 1 1̄ 0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD
Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN( 1 1̄ 0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD
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MOCVD 在 Si(1 1 2) 图案化衬底上横向外延生长非极性 GaN( 1 1Ì 0 0)
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.11.152
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
H. Morkoç
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Izyumskaya;S.J. Liu;V. Avrutin;X.F. Ni;Ü. Özgür;S. Metzner;F. Bertram;J. Christen;L. Zhou;David J. Smith;H. Morkoç
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影响因子：
4
作者：
X. Ni;M. Wu;J. Lee;Xing Li;A. Baski;Ü. Özgür;H. Morkoç
通讯作者：
X. Ni;M. Wu;J. Lee;Xing Li;A. Baski;Ü. Özgür;H. Morkoç
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
影响因子：
8.8
作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
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1.4
作者：
CHRISTEN, J;GRUNDMANN, M;BIMBERG, D
通讯作者：
BIMBERG, D
Si和GaN上c面InGaN和m面InGaN的内量子效率
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
X. Ni;J. Lee;Mingzhong Wu;Xing Li;R. Shimada;Ü. Özgür;A. Baski;H. Morkoç;T. Paskova;G. Mulholland;K. Evans
通讯作者：
K. Evans
通过射频等离子体辅助分子束外延在 γ-LiAlO2(100) 上生长紫光和蓝光发射 (In,Ga)N/GaN 多量子阱
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Waltereit;O. Brandt;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog