Improvement of nucleation and electrical properties of Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 thin films with an upper Bi4Ti3O12 buffer layer
Improvement of nucleation and electrical properties of Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 thin films with an upper Bi4Ti3O12 buffer layer
复制标题
具有上部 Bi4Ti3O12 缓冲层的 Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 薄膜的成核和电性能的改善
DOI：
10.1007/s10971-016-4175-0
复制
发表时间：
2016-08
影响因子：
2.5
通讯作者：
J. He
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. L. Zhang;M. H. Tang;Y. Xiong;Z. P. Wang;Y. G. Xiao;S. A. Yan;Z. Li;J. He
采用溶胶-凝胶法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了具有（117）择优取向的Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12（BNTM）薄膜，并在其上添加了Bi 4 Ti 3 O 12（BTO）缓冲层。研究了添加Bi_4 Ti_3 O_（12）（BTO）层对薄膜结构的影响
A highly (117)-preferred Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 (BNTM) thin film with an upper Bi4Ti3O12 (BTO) buffer layer was fabricated on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates by a sol–gel method. The effects of the added upper Bi4Ti3O12 (BTO) layer on the structur
登录
查看更多内容
Bi2O3种子层对射频磁控溅射法制备Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜晶体取向和铁电性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
张端明
通讯作者：
张端明
影响因子：
4
作者：
J. Shin;C. Hwang;H. Kim;S. Park
通讯作者：
J. Shin;C. Hwang;H. Kim;S. Park
DOI：
10.1088/0031-9112/21/12/031
发表时间：
1970-12
期刊：
Physics Bulletin
影响因子：
--
作者：
A. Stoneham
通讯作者：
A. Stoneham
影响因子：
2.1
作者：
X. Zhong;J. Wang;M. Liao;Congbing Tan;H. Shu;Y. Zhou
通讯作者：
X. Zhong;J. Wang;M. Liao;Congbing Tan;H. Shu;Y. Zhou
影响因子：
3.2
作者：
D. Bao;T. Chiu;N. Wakiya;K. Shinozaki;N. Mizutani
通讯作者：
D. Bao;T. Chiu;N. Wakiya;K. Shinozaki;N. Mizutani