Diffusion Model for Reduction of Deep Levels in 4H-SiC by Thermal Oxidation
Diffusion Model for Reduction of Deep Levels in 4H-SiC by Thermal Oxidation
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通过热氧化减少 4H-SiC 中深层能级的扩散模型
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Koutarou Kawahara;et al.
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