Origin of exciton localization in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
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富铝 AlGaN/AlN 量子阱中激子局域化的起源
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Funato and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Oto;R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
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AlGaN 量子阱中的光致发光效率
影响因子：
2.8
作者：
G. Tamulaitis;J. Mickevičius;J. Jurkevičius;M. Shur;M. Shatalov;J. Yang;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
电场和载流子局域化对 AlGaN 量子阱中载流子动力学的影响
影响因子：
0.7
作者：
J. Mickevičius;G. Tamulaitis;E. Kuokštis;M. Shur;J. Yang;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
影响因子：
3.2
作者：
Hammersley, S.;Watson-Parris, D.;Humphreys, C. J.
通讯作者：
Humphreys, C. J.
高铝含量 AlGaN/AlGaN 量子阱的效率下降
DOI：
10.1002/pssc.201000889
发表时间：
2011
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
G. Tamulaitis;J. Mickevičius;K. Kazlauskas;A. Zukauskas;M. Shur;J. Yang;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
富铝 AlGaN/AlN 单量子阱的不均匀展宽
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
R.G.Banal;M.Funato;Y.Kawakami
通讯作者：
Y.Kawakami