Hybrid GaN-SiC Power Switches for Optimum Switching, Conduction and Free-Wheeling Performance
Hybrid GaN-SiC Power Switches for Optimum Switching, Conduction and Free-Wheeling Performance
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混合 GaN-SiC 功率开关可实现最佳开关、传导和续流性能
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Battuvshin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
畑 勝裕，鈴木 定典，高宮 真;Battuvshin
双极互补调制变换器臂的 GaN 和 Si 功率器件开关性能比较研究
影响因子：
3.2
作者：
Baochao Wang;Shili Dong;Shanlin Jiang;Chun He;Jian;Hui Ye;Xuezhen Ding
通讯作者：
Xuezhen Ding
CoolGaN™ GIT HEMT 的栅极驱动解决方案 充分发挥 GaN 的潜力
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
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影响因子：
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作者：
D. Varajao
通讯作者：
D. Varajao
用于标准制造、安装和冷却的多芯片 SiC MOSFET 功率模块
DOI：
10.23919/ipec.2018.8507834
发表时间：
2018
期刊：
2018 International Power Electronics Conference (IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia)
影响因子：
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作者：
A. Castellazzi;A. Fayyaz;E. Gurpinar;A. Hussein;Jianfeng Li;B. Mouawad
通讯作者：
B. Mouawad