Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor
Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor
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绝缘栅双极晶体管高温工艺过程中浮区硅载流子寿命下降的根源
DOI：
10.35848/1347-4065/abc1d0
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发表时间：
2020
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hiramoto Toshiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yokogawa Ryo;Kobayashi Hiroto;Numasawa Yohichiroh;Ogura Atsushi;Nishizawa Shin-ichi;Saraya Takuya;Ito Kazuo;Takakura Toshihiko;Suzuki Shinichi;Fukui Munetoshi;Takeuchi Kiyoshi;Hiramoto Toshiro
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DOI：
10.1149/07204.0057ecst
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Higasa;Y. Nagai;S. Nakagawa;K. Kashima
通讯作者：
K. Kashima
生长缺陷的热激活和失活限制了区熔硅的寿命
DOI：
10.1002/pssr.201600080
发表时间：
2016
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
N. Grant;V. Markevich;J. Mullins;A. Peaker;F. Rougieux;D. Macdonald
通讯作者：
D. Macdonald
通过快速光学退火在硅中扩散金
DOI：
10.1007/bf00343418
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Boit;F. Lau;R. Sittig
通讯作者：
R. Sittig
硅中间隙硼-间隙氧配合物的局部振动模式
DOI：
10.1002/pssa.201600588
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. I. Murin;S. Lastovskii;E. Tolkacheva;V. Markevich;A. Peaker;B. Svensson
通讯作者：
B. Svensson
用于变频驱动器的功率半导体器件
影响因子：
20.6
作者：
B. Baliga
通讯作者：
B. Baliga