Strain anisotropy of a-plane GaN grown on r-plane sapphire
Strain anisotropy of a-plane GaN grown on r-plane sapphire
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r 面蓝宝石上生长的 a 面 GaN 的应变各向异性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Harima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bei Ma;Hedeto Miyake;Kazumasa. Hiramatsu;Hiroshi Harima
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在 (1$ ar 1 $02) 蓝宝石上生长的非极性 (11$ ar 2 $0) GaN 缺陷减少
DOI：
10.1002/pssa.200880788
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
C. Johnston;M. Kappers;M. Moram;J. Hollander;C. Humphreys
通讯作者：
C. Humphreys
影响因子：
1.5
作者：
K. Okamoto;H. Ohta;S. Chichibu;J. Ichihara;H. Takasu
通讯作者：
K. Okamoto;H. Ohta;S. Chichibu;J. Ichihara;H. Takasu
原色发光二极管侧壁出射光的偏振特性
DOI：
10.1088/0268-1242/23/7/072001
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Masui;N. Fellows;S. Nakamura;S. Denbaars
通讯作者：
S. Denbaars
非极性衬底上生长的 GaN/AlGaN 量子阱的光学特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Badcock;P. Dawson;M. Kappers;C. McAleese;J. Hollander;C. Johnston;D. S. Rao;A. Sánchez;C. Humphreys
通讯作者：
C. Humphreys