Improved response of ZnO films for pyroelectric devices.
Improved response of ZnO films for pyroelectric devices.
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DOI：
10.3390/s121217007
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发表时间：
2012-12-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yu SY
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hsiao CC;Yu SY
增加温度变化率是增强热释电装置响应的有用方法。采用荫罩法通过气溶胶沉积（AD）快速工艺制备了三维ZnO薄膜，在响应元件的侧壁上产生横向温度梯度，从而增加了温度变化率。为了提高薄膜的质量并降低缺陷浓度，对薄膜进行了激光退火进一步处理，并且集成梳状顶部电极增强了ZnO热释电器件的电压响应并缩短了响应时间。
Increasing the temperature variation rate is a useful method for enhancing the response of pyroelectric devices. A three-dimensional ZnO film was fabricated by the aerosol deposition (AD) rapid process using the shadow mask method, which induces lateral temperature gradients on the sidewalls of the responsive element, thereby increasing the temperature variation rate. To enhance the quality of the film and reduce the concentration of defects, the film was further treated by laser annealing, and the integration of a comb-like top electrode enhanced the voltage response and reduced the response time of the resulting ZnO pyroelectric devices.
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影响因子：
6.2
作者：
Amezaga-Madrid, P.;Antunez-Flores, W.;Miki-Yoshida, M.
通讯作者：
Miki-Yoshida, M.
DOI：
10.1109/tuffc.2008.680
发表时间：
2008-03-01
影响因子：
3.6
作者：
Sebald, Gael;Lefeuvre, Elie;Guyomar, Daniel
通讯作者：
Guyomar, Daniel
影响因子：
2.1
作者：
Kim, Jun-Je;Bak, Jun-Yong;Lee, Won-Jae
通讯作者：
Lee, Won-Jae
影响因子：
6.7
作者：
Winfield, R. J.;Koh, L. H. K.;Crean, Gabriel M.
通讯作者：
Crean, Gabriel M.
DOI：
10.3390/s111110458
发表时间：
2011
期刊：
Sensors (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Hsiao CC;Ciou JC;Siao AS;Lee CY
通讯作者：
Lee CY