Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
复制标题
由单次 Alpha 粒子撞击形成的 6H-SiC 二极管中扩展漂移区域的瞬态分析及其对增加电荷收集的贡献
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
N.Iwamoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Kobayashi;M.Ono;S.Matsuzaka;Y.Ohno;H.Ohno;N.Iwamoto
登录
查看更多内容
硅肖特基势垒器件中离子束感应电荷收集的 TCAD 建模
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)01057-7
发表时间：
2003
影响因子：
1.3
作者：
S. Hearne;D. Jamieson;C. Yang;A. Dzurak
通讯作者：
A. Dzurak
6H-SiC 二极管通过高达数百 MeV 的各种带电粒子的电荷收集特性
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Materials Science Forum 615-617
影响因子：
--
作者：
S. Onoda;N. Iwamoto;M. Murakami;T. Ohshima;T. Hirao;K. Kojima;K. Kawano;I. Nakano
通讯作者：
I. Nakano
Si 器件中单 MeV 离子感应电荷收集过程的 TCAD 建模
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)00711-0
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. S. Laird;T. Hirao;S. Onoda;H. Mori;H. Itoh
通讯作者：
H. Itoh
低能电子辐照降低 6H-SiC P N 二极管的电荷收集效率
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
N. Iwamoto;S. Onoda;T. Ohshima;K. Kojima;A. Koizumi;K. Uchida;S. Nozaki
通讯作者：
S. Nozaki
影响因子：
1.8
作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;K. Mishima;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kawano
通讯作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;K. Mishima;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kawano