Towards nonvolatile magnetic crossbar arrays: A three-dimensional-integrated field-coupled domain wall gate with perpendicular anisotropy
Towards nonvolatile magnetic crossbar arrays: A three-dimensional-integrated field-coupled domain wall gate with perpendicular anisotropy
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走向非易失性磁交叉阵列：具有垂直各向异性的三维集成场耦合畴壁门
DOI：
10.1063/1.4913729
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发表时间：
2015
影响因子：
3.2
通讯作者：
Becherer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Breitkreutz;Eichwald;Ziemys;Hiblot;Schmitt- Landsiedel;Becherer
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影响因子：
3.2
作者：
Breitkreutz, Stephan;Kiermaier, Josef;Becherer, Markus
通讯作者：
Becherer, Markus
用于具有垂直各向异性的磁逻辑和存储器应用的畴壁门
DOI：
10.1109/iedm.2013.6724684
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
S. Breitkreutz;G. Ziemys;I. Eichwald;J. Kiermaier;G. Csaba;W. Porod;D. Schmitt;M. Becherer
通讯作者：
M. Becherer
影响因子：
3.2
作者：
Breitkreutz;Eichwald;Kiermaier;Schmitt-Landsiedel;Becherer
通讯作者：
Becherer
具有垂直磁各向异性的纳米线中畴壁的受控钉扎和脱钉
DOI：
10.1088/0953-8984/24/2/024208
发表时间：
2012
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
T. Gerhardt;A. Drews;G. Meier
通讯作者：
G. Meier
垂直纳米磁逻辑中的信号交叉
影响因子：
3.2
作者：
I. Eichwald;S. Breitkreutz;J. Kiermaier;G. Csaba;D. Schmitt-Landsiedel;M. Becherer
通讯作者：
M. Becherer