Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization
Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization
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低温（~200 ℃）Au诱导固相结晶优先（111）取向晶体Ge
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功
中科院分区：
文献类型：
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作者：
苗村智行;都築俊介;西山悠;工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功
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影响因子：
4
作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
局部Ge插入对a-Si/SiO_2固相结晶的成核控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Jpn. J. Appl. phys. 43(4B)
影响因子：
--
作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他
通讯作者：
I.Tsunoda 他
Al 诱导的 Si1-xGex 低温结晶（0
影响因子：
2.1
作者：
M. Kurosawa;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao
SiO2 上电子辐照非晶 Ge 中增强的 Au 诱导横向结晶
影响因子：
2.1
作者：
S. Sakiyama;Takahiro Kaneko;Takanobu Ootsubo;Takatsugu Sakai;K. Nakashima;K. Moto;M. Yoneoka;K. Takakura;I. Tsunoda
通讯作者：
I. Tsunoda
绝缘体上 Si1-xGex (x: 0-1) 的压痕诱导低温固相结晶
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Applied Physics Letters 94,19
影响因子：
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作者：
K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao