Fabrication of ultra-low antireflection SiNWs arrays from mc-Si using one step MACE
Fabrication of ultra-low antireflection SiNWs arrays from mc-Si using one step MACE
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使用一步 MACE 从多晶硅制造超低反射 SiNW 阵列
DOI：
10.1007/s10854-017-6573-7
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发表时间：
2017-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ma WH
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Cong;Li Shaoyuan;Ma Wenhui;Yang Jia;Zhang Cong;Li Shaoyuan;Ma Wenhui;Wan Xiaohan;Yang Jia;Chen Zhengjie;Zou Yuxin;Qiu Jiajia;Ding Zhao;Li SY;Ma WH;Li SY;Ma WH
本文采用一步纳米银催化化学刻蚀法，在mc-Si晶片上制备了SiNWs阵列。研究了agno3浓度对织构mc-Si的形貌结构、增透性能和有效载流子寿命的影响。结果表明，SiNWs阵列的长度和间距有利于提高SiNWs阵列的抗反射性能，但蚀刻的增加严重降低了有效载流子寿命。此外，对sinw进行了KOH校正，进一步降低了反射损失，这也有利于减少光产生的载流子复合。在240 s的优先浸没时间下，可以获得具有~3.4%的超低抗反射能力和3.30 μs的有效载流子寿命的大规模SiNWs阵列，这对生产高效多晶硅太阳能电池具有重要意义。
In this work, SiNWs arrays were fabricated from mc-Si wafer using one step nano-silver catalyzed chemical etching method. The effect of AgNO3concentration on morphology structure, antireflection property and effective carrier lifetime of textured mc-Si were carefully studied. The results indicate that the length and inter spacing of SiNWs arrays are conducive for improving antireflection property of SiNWs arrays, but the increasing etching seriously deteriorates effective carrier lifetime. Moreover, KOH correction of SiNWs was performed to further reduce the reflectance loss, which is also conducive to reduce the photo-generated carrier recombination. Under preference immersion time of 240 s, a large scale SiNWs arrays with the ultra-low antireflection ability of ~3.4% and excellent effective carrier lifetime of 3.30 μs can be obtained, which shows a great significance for producing high-efficiency polysilicon solar cells.
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作者：
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