Positron annihilation study of 4H-SiC by Ge+ implantation and subsequent thermal annealing
Positron annihilation study of 4H-SiC by Ge+ implantation and subsequent thermal annealing
复制标题
Ge 注入和随后的热退火对 4H-SiC 的正电子湮没研究
DOI：
10.1016/j.nimb.2011.10.006
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wei, L.1
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu, R.S.1;Maekawa, M.2;Kawasuso, A.2;Wang, B.Y.1;Wei, L.1
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影响因子：
3.7
作者：
J. Kuriplach;M. Šob;G. Brauer;W. Anwand;E.-M. Nicht;P. Coleman;N. Wagner
通讯作者：
J. Kuriplach;M. Šob;G. Brauer;W. Anwand;E.-M. Nicht;P. Coleman;N. Wagner
影响因子：
1.7
作者：
G. Hui;Yue-Hu Wang;Yu-Ming Zhang;Da-yong Qiao;Yimen Zhang
通讯作者：
G. Hui;Yue-Hu Wang;Yu-Ming Zhang;Da-yong Qiao;Yimen Zhang
影响因子：
3.2
作者：
I. Usov;A. Suvorova;V. Sokolov;Y. Kudryavtsev;A. Suvorov
通讯作者：
I. Usov;A. Suvorova;V. Sokolov;Y. Kudryavtsev;A. Suvorov
DOI：
10.1093/jmicro/50.3.251
发表时间：
2001-05
期刊：
Journal of electron microscopy
影响因子：
--
作者：
Ute Kaiser
通讯作者：
Ute Kaiser
影响因子：
1
作者：
G. Litrico;M. Zimbone;P. Musumeci;L. Calcagno;G. Foti
通讯作者：
G. Litrico;M. Zimbone;P. Musumeci;L. Calcagno;G. Foti