S.Shimomura: "Extremely flat interfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells with high Al content (0.7) grown on GaAs (411)A substrates by molecular beam epitaxy" J.Cryst.Growth. 150. 409-414 (1995)
S.Shimomura: "Extremely flat interfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells with high Al content (0.7) grown on GaAs (411)A substrates by molecular beam epitaxy" J.Cryst.Growth. 150. 409-414 (1995)
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S.Shimomura：“通过分子束外延在 GaAs (411)A 基板上生长的高 Al 含量 (0.7) 的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的极其平坦的界面”J.Cryst.Growth。
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