Molecular Beam Epitaxy and p-type Doping of ZnMgSTe Quaternary Alloys
Molecular Beam Epitaxy and p-type Doping of ZnMgSTe Quaternary Alloys
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ZnMgSTe 四元合金的分子束外延和 p 型掺杂
DOI：
10.1007/s11664-018-6240-7
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发表时间：
2018
影响因子：
2.1
通讯作者：
Abe T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ichino K.;Sahashi K.;Nanba N.;Nakashima T.;Tomita Y.;Akaiwa K.;Abe T.
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p 型 ZnSTe:N 和 p-n 结发光二极管的分子束外延
DOI：
10.1002/pssc.201300626
发表时间：
2014
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
K. Ichino;T. Kojima;S. Obata;Takuma Kuroyanagi;Kenta Kimata;Shoichi Nakazawa;S. Kashiyama
通讯作者：
S. Kashiyama
ZnS1−xTex 和 Zn1−yMgyS1−xTex 合金的 MBE 生长和表征
影响因子：
1.8
作者：
M. Kobayashi;C. Setiagung;K. Wakao;S. Nakamura;A. Yoshikawa;Kiyoshi Takahashi
通讯作者：
Kiyoshi Takahashi
II-VI 族合金中等电点氧和碲陷阱引起的光致发光
影响因子：
3.6
作者：
G. Iseler;A. Strauss
通讯作者：
A. Strauss
影响因子：
1.5
作者：
T. Fukushima;S. Shionoya
通讯作者：
S. Shionoya
热壁外延生长的 ZnS1−xTex 外延层带隙能量和光致发光特性随 Te 成分的变化
影响因子：
6.7
作者：
Y. Yu;Sungun Nam;O. Byungsung;K. Lee;Y. Choi;Jongwon Lee;P. Yu
通讯作者：
P. Yu