Y.Nakamura: "Formation of Uniform GaAs Multi-Atomic Steps with 20-3- nm Periodicity and Related Structures in Vicinal(111)B Planes by MBE" J.Electronic Materials.
Y.Nakamura: "Formation of Uniform GaAs Multi-Atomic Steps with 20-3- nm Periodicity and Related Structures in Vicinal(111)B Planes by MBE" J.Electronic Materials.
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Y.Nakamura：“通过 MBE 在邻位 (111)B 平面中形成具有 20-3 nm 周期性的均匀 GaAs 多原子台阶和相关结构”J.Electronic Materials。
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n-AlGaAs/GaAs 边缘量子线晶体管中一维电子密度的调制
影响因子：
4
作者：
Yusui Nakamura;M. Tsuchiya;S. Koshiba;H. Noge;H. Sakaki
通讯作者：
H. Sakaki
0.5° 错误取向 (111)B 衬底上分子束外延生长的量子阱激光器阈值电流密度的降低
影响因子：
1.5
作者：
T. Hayakawa;M. Kondo;T. Suyama;Kōsei Takahashi;S. Yamamoto;T. Hijikata
通讯作者：
T. Hijikata
采用多原子步骤在邻位 (111)B GaAs 上生长的新型二维电子系统中的大电导各向异性
影响因子：
4
作者：
Yusui Nakamura;S. Koshiba;H. Sakaki
通讯作者：
H. Sakaki
提高台面上 GaAs 分子束外延生长的晶体学选择性以及边缘量子线的 (001)-(111)B 面结构的形成
影响因子：
4
作者：
Yusui Nakamura;S. Koshiba;M. Tsuchiya;H. Kano;H. Sakaki
通讯作者：
H. Sakaki
分子束外延形成的 GaAs (111)B 面的表面光滑度和台阶聚束
影响因子：
1.5
作者：
Y. Nakamura;I. Tanaka;N. Takeuchi;S. Koshiba;H. Noge;H. Sakaki
通讯作者：
H. Sakaki