A Power Scalable SAR-ADC in 0.18um-CMOS with 0.5V Nano-Watt Operation
A Power Scalable SAR-ADC in 0.18um-CMOS with 0.5V Nano-Watt Operation
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采用 0.18um-CMOS 封装、工作电压为 0.5V 纳瓦的功率可扩展 SAR-ADC
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Hiroki Ishikuro
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Ryota Sekimoto;Akira Shikata;Hiroki Ishikuro
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DOI:
10.1109/imw.2009.5090572
发表时间:
2009
期刊:
2009 IEEE International Memory Workshop
影响因子:
--
作者:
Shuhei Tanakamaru;K. Takeuchi
通讯作者:
K. Takeuchi
DOI:
10.1109/icasic.2003.1277506
发表时间:
2003
期刊:
ASIC, 2003. Proceedings. 5th International Conference on
影响因子:
--
作者:
Rui Liu Rui Liu;Sheqin Dong Sheqin Dong;Xianlong Hong Xianlong Hong;Di Long Di Long;Jun Gu Jun Gu
通讯作者:
Jun Gu Jun Gu
DOI:
10.1109/icsict.2010.5667670
发表时间:
2010
期刊:
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
影响因子:
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作者:
Hui Zhang;Yajie Qin;Siyu Yang;Zhiliang Hong
通讯作者:
Zhiliang Hong
DOI:
10.1109/iscas.2010.5537421
发表时间:
2010
期刊:
Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子:
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作者:
Sung;C. Hsieh;Chin;H. Tsai
通讯作者:
H. Tsai
DOI:
10.1109/iscas.2005.1465058
发表时间:
2005
期刊:
2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子:
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作者:
C. Fayomi;G. Roberts;M. Sawan
通讯作者:
M. Sawan