Effects of a thin nitrogen-doped layer on terahertz dynamics in GaAs containing InAs quantum dots
Effects of a thin nitrogen-doped layer on terahertz dynamics in GaAs containing InAs quantum dots
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氮掺杂薄层对含有 InAs 量子点的 GaAs 太赫兹动力学的影响
DOI：
10.1364/osac.2.001621
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Kita Takashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kojima Osamu;Izumi Ryo;Kita Takashi
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