CMOS MEMS Fabrication Technologies and Devices.
CMOS MEMS Fabrication Technologies and Devices.
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DOI：
10.3390/mi7010014
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发表时间：
2016-01-21
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Qu H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qu H
本文综述了互补金属氧化物半导体MEMS(微机电系统)的制造技术，以及各种传感器和执行器的微器件。根据电路和MEMS元件的制造顺序，对这些技术进行了分类，并分别介绍了SOI(绝缘体上硅)CMOSMEMS。相关器件的介绍遵循各自的CMOSMEMS技术的描述。由于CMOSMEMS器件种类繁多，本文仅介绍了最典型的MEMS传感器和执行器，包括压力传感器、惯性传感器、频率基准器件和利用不同物理效应的执行器，并介绍了它们的制造工艺。此外，MEMS和CMOS的结合仅限于单片集成，这意味着基于晶片键合的堆叠和其他集成方法，尽管它们具有优势，但不在讨论之列。内容包括竞争性工业产品和最新的CMOS微机械研究成果。
This paper reviews CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) MEMS (micro-electro-mechanical systems) fabrication technologies and enabled micro devices of various sensors and actuators. The technologies are classified based on the sequence of the fabrication of CMOS circuitry and MEMS elements, while SOI (silicon-on-insulator) CMOS MEMS are introduced separately. Introduction of associated devices follows the description of the respective CMOS MEMS technologies. Due to the vast array of CMOS MEMS devices, this review focuses only on the most typical MEMS sensors and actuators including pressure sensors, inertial sensors, frequency reference devices and actuators utilizing different physics effects and the fabrication processes introduced. Moreover, the incorporation of MEMS and CMOS is limited to monolithic integration, meaning wafer-bonding-based stacking and other integration approaches, despite their advantages, are excluded from the discussion. Both competitive industrial products and state-of-the-art research results on CMOS MEMS are covered.
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DOI：
10.1088/0960-1317/21/6/065012
发表时间：
2011-06-01
影响因子：
2.3
作者：
Chen, Wen-Chien;Fang, Weileun;Li, Sheng-Shian
通讯作者：
Li, Sheng-Shian
影响因子：
2.7
作者：
Franke, AE;Heck, JM;Howe, RT
通讯作者：
Howe, RT
影响因子：
3.1
作者：
Gitelman, L.;Stolyarova, S.;Nemirovsky, Yael
通讯作者：
Nemirovsky, Yael
影响因子：
20.6
作者：
Fedder, Gary K.;Howe, Roger T.;Quevy, Emmanuel P.
通讯作者：
Quevy, Emmanuel P.
DOI：
10.1109/tmtt.2007.914657
发表时间：
2008-02-01
影响因子：
4.3
作者：
Bakri-Kassem, Maher;Fouladi, Siamak;Mansour, Raafat R.
通讯作者：
Mansour, Raafat R.