Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator

Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator
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单轴应变绝缘体上硅的光致发光缺陷评估

DOI：
--
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发表时间：
2011
期刊：
The Electrochemical Society Transactions Vol.34
影响因子：
--
通讯作者：
H.Nakashima
H.Nakashima
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
D.Wang;K.Yamamoto;H.Gao;H.Yang;H.Nakashima

文献摘要

参考文献

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