A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
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制造 GaN 纳米线阵列的实用途径
DOI：
10.1039/c1ce05292f
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发表时间：
2011-09
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Ren, Guoqiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, Jianqi;Yang, Hui;Huang, Jun;Gong, Xiaojing;Wang, Jianfeng;Xu, Ke;Qiu, Yongxin;Cai, Demin;Zhou, Taofei;Ren, Guoqiang
首次采用无电极光电化学腐蚀方法制备了GaN纳米线阵列。在适当的条件下，腐蚀过程只是一个位错狩猎过程，在这个过程中，腐蚀液“挖"，
GaN nanowire (NW) arrays have been fabricated by the electrodeless photoelectrochemical (PEC) etching method for the first time. Under appropriate conditions, the etching process is just a dislocation-hunted process, in which the etching solution “digs do
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Jinhui Song;Huizhi Xie;Wenzhuo Wu;V. Roshan Joseph;C. F. Jeff Wu;Z. Wang