Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
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通过氢化物气相外延在 r 平面蓝宝石衬底上生长 a 平面 AlN 的初始过程中的载气依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Akinori Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jumpei Tajima;Chikashi Echizen;Rie Togashi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Kazuya Takada;Akinori Koukitu
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DOI：
10.1002/pssc.200303360
发表时间：
2003-12
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
Y. Kumagai;Takayoshi Yamane;T. Miyaji;H. Murakami;Y. Kangawa;A. Koukitu
通讯作者：
Y. Kumagai;Takayoshi Yamane;T. Miyaji;H. Murakami;Y. Kangawa;A. Koukitu
影响因子：
1.8
作者：
Kumagai, Yoshinao;Akiyama, Kazuhiro;Koukitu, Akinori
通讯作者：
Koukitu, Akinori
影响因子：
1.8
作者：
Jiejun Wu;Yusuke Katagiri;Kazuki Okuura;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
通讯作者：
Jiejun Wu;Yusuke Katagiri;Kazuki Okuura;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Takeuchi, T;Amano, H;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I