Study of hot electrons in AlGaN/GaN HEMTs under RF Class B and Class J operation using electroluminescence
Study of hot electrons in AlGaN/GaN HEMTs under RF Class B and Class J operation using electroluminescence
复制标题
使用电致发光研究 RF B 类和 J 类操作下 AlGaN/GaN HEMT 中的热电子
DOI：
10.1016/j.microrel.2015.09.023
复制
发表时间：
2015
影响因子：
1.6
通讯作者：
Brazzini T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Brazzini T
登录
查看更多内容
针对射频和微波应用的 AlGaN/GaN HEMT 进行 3000 小时直流寿命测试
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
--
作者：
A. Sozza;C. Dua;E. Morvan;B. Grimbert;S. Delage
通讯作者：
S. Delage
来自欧洲 GaN HEMT 加速射频寿命测试的初步可靠性数据
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Barnes;F. Vitobello
通讯作者：
F. Vitobello
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管关态退化期间栅极边缘电场的影响
影响因子：
1.6
作者：
Sun H
通讯作者：
Sun H
影响因子：
4
作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
使用微拉曼光谱对 AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管中的缺陷进行热成像
影响因子：
4
作者：
J. Pomeroy;M. Kuball;D. Wallis;A. Keir;K. Hilton;R. Balmer;M. Uren;T. Martin;P. Heard
通讯作者：
P. Heard