Fluorine plasma treatment induced deep level traps and their effect on current transportation in Al0.83In0.17N/AlN/GaN Schottky barrier diodes
Fluorine plasma treatment induced deep level traps and their effect on current transportation in Al0.83In0.17N/AlN/GaN Schottky barrier diodes
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氟等离子体处理引起的深能级陷阱及其对 Al0.83In0.17N/AlN/GaN 肖特基势垒二极管电流传输的影响
DOI：
10.1088/0022-3727/49/30/305103
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发表时间：
2016-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Guoyi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiang Yong;Yu Tongjun;Ji Cheng;Cheng Yutian;Yang Xuelin;Kang Xiangning;Shen Bo;Zhang Guoyi
采用温度依赖的电流-电压（I-V）和深能级瞬态电压谱研究了氟等离子体处理（F处理）和未处理的Al 0.83 In 0.17 N/AlN/GaN肖特基势垒二极管（SBD）的深能级陷阱和电学特性
The deep level traps and the electrical properties of fluorine plasma treated (F-treated) and non-treated Al0.83In0.17N/AlN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated by the temperature-dependent current–voltage (I–V) and deep level transient sp
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影响因子：
3.2
作者：
Py, M. A.;Lugani, L.;Grandjean, N.
通讯作者：
Grandjean, N.
影响因子：
4
作者：
A. Gadanecz;J. Bläsing;A. Dadgar;C. Hums;A. Krost
通讯作者：
A. Gadanecz;J. Bläsing;A. Dadgar;C. Hums;A. Krost
影响因子：
1.7
作者：
N. Miura;T. Nanjo;M. Suita;T. Oishi;Y. Abe;T. Ozeki;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo
通讯作者：
N. Miura;T. Nanjo;M. Suita;T. Oishi;Y. Abe;T. Ozeki;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo
DOI：
10.1002/pssc.200674859
发表时间：
2007-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
H. Mizuno;S. Kishimoto;K. Maezawa;T. Mizutani
通讯作者：
H. Mizuno;S. Kishimoto;K. Maezawa;T. Mizutani
影响因子：
3.7
作者：
M. Py;L. Lugani;Y. Taniyasu;J. Carlin;N. Grandjean
通讯作者：
M. Py;L. Lugani;Y. Taniyasu;J. Carlin;N. Grandjean