Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates
Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates
复制标题
使用 GaAs 起始衬底通过氢化物气相外延掺铁厚 GaN 层制造半绝缘 GaN 晶片
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.Takemoto;Y.Kumagai;H.Murakami;A.Koukitu
用于制备半绝缘 GaN 衬底的掺铁厚 GaN 层的生长
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;K. Takemoto;H. Murakami;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
覆盖有薄 GaN 缓冲层的 GaAs (111)A 衬底的高温升温速率可在 1000°C 下生长厚 GaN
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;H. Murakami;Y. Kangawa;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
影响因子：
4
作者：
Moore, WJ;Freitas, JA;Song, IJ
通讯作者：
Song, IJ