Homoepitaxial growth of GaN single crystals using gallium hydride
Homoepitaxial growth of GaN single crystals using gallium hydride
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使用氢化镓同质外延生长 GaN 单晶
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mamoru Imade
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井上康志;矢野隆章;市村垂生;河田 聡;Mamoru Imade;Mamoru Imade
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使用氢化镓合成 GaN 晶体
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Kawamura;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
T. Sasaki
影响因子：
1.8
作者：
R. Molnar;W. Götz;L. Romano;N. Johnson
通讯作者：
N. Johnson
钾熔剂中制备的闪锌矿型立方氮化镓单晶
影响因子：
1.5
作者：
H. Yamane;T. Kajiwara;T. Sekiguchi;M. Shimada
通讯作者：
M. Shimada
HVPE-GaN 自支撑薄膜的生长和分离相关特性
影响因子：
1.8
作者：
T. Paskova;V. Darakchieva;P. Paskov;U. Södervall;B. Monemar
通讯作者：
B. Monemar