Multi-channel GaAs-based planar gunn diodes
Multi-channel GaAs-based planar gunn diodes
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多通道砷化镓平面耿氏二极管
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
David Cumming (Author)
中科院分区：
文献类型：
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作者：
David Cumming (Author)
坚固封装的 D 波段 GaAs 耿氏二极管，具有热电子注入功能，适合批量生产
DOI：
10.1109/mwsym.2008.4633158
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
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作者：
N. Farrington;P. Norton;M. Carr;J. Sly;M. Missous
通讯作者：
M. Missous
具有多量子阱通道的 GaAs/AlGaAs HEMT 结构
影响因子：
1.1
作者：
T. Humer‐Hager;W. Klein;R. Kempter;G. Böhm;G. Tränkle;G. Weimann
通讯作者：
G. Weimann
新型平面耿氏二极管工作频率高达 158 GHz
影响因子：
1.1
作者：
Chong Li;A. Khalid;N. Pilgrim;M. Holland;G. Dunn;D. Cumming
通讯作者：
D. Cumming