Optimization of size uniformity and dot density of InxGa1−xAs/GaAs quantum dots for laser applications in 1 µm wavelength range
Optimization of size uniformity and dot density of InxGa1−xAs/GaAs quantum dots for laser applications in 1 µm wavelength range
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优化 InxGa1âxAs/GaAs 量子点的尺寸均匀性和点密度，用于 1 µm 波长范围内的激光应用
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.04.002
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
J. P. Reithmaier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Finke;V. Sichkovskyi;J. P. Reithmaier
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影响因子：
3.8
作者：
Eyal, O.;Willinger, A.;Eisenstein, G.
通讯作者：
Eisenstein, G.
DOI：
10.1117/12.2209085
发表时间：
2016-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Banyoudeh;A. Abdollahinia;V. Sichkovskyi;J. Reithmaier
通讯作者：
S. Banyoudeh;A. Abdollahinia;V. Sichkovskyi;J. Reithmaier
具有高波长稳定性的 GaInAs/(Al)GaAs 量子点激光器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Pavelescu;C. Gilfert;J. Reithmaier;A. Martín;I. Esquivias
通讯作者：
I. Esquivias
自组装 InGaAs 量子点集合的窄光致发光线宽
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Mirin;K. Silverman;D. H. Christensen;A. Roshko
通讯作者：
A. Roshko
量子点纳米结构
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Henini
通讯作者：
M. Henini