Formation of a nitrified hafnium oxide buffer layer on silicon substra to and GaN quantum well crystal growth for GaN-Si hybrid optical MEMS
Formation of a nitrified hafnium oxide buffer layer on silicon substra to and GaN quantum well crystal growth for GaN-Si hybrid optical MEMS
复制标题
在硅衬底上形成氮化铪缓冲层以及用于 GaN-Si 混合光学 MEMS 的 GaN 量子阱晶体生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Sameshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
大村達夫;真砂佳史;他;M.Uesugi;本間貴士;H. Sameshima
影响因子：
2.6
作者：
Kanamori, Y;Ishimori, M;Hane, K
通讯作者：
Hane, K
集成光学编码器
DOI：
10.1109/sensor.1995.717173
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of the International Solid-State Sensors and Actuators Conference - TRANSDUCERS '95
影响因子：
--
作者：
R. Sawada
通讯作者：
R. Sawada
影响因子：
4
作者：
Armitage, R;Yang, Q;Sasaki, K
通讯作者：
Sasaki, K