High voltage SOI LDMOS with a compound buried layer
High voltage SOI LDMOS with a compound buried layer
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具有化合物埋层的高压 SOI LDMOS
DOI：
10.1088/1674-4926/33/10/104003
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发表时间：
2012-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li, Zhaoji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Qi;Luo, Yinchun;Zhang, Bo;Li, Zhaoji
提出了一种具有复合埋层（CBL）的SOI LDMOS。CBL由具有Si窗口和两个氧化台阶的上埋氧层（UBOX）、多晶硅层和下埋氧层（LBOX）组成。在阻断状态下，位于UBOX和LBOX顶界面上的空穴使UBOX和LBOX中的电场强度分别从传统SOI（C-SOI）LDMOS中埋氧层（BOX）的88 V/μm增加到163 V/μm和460 V/μm。与C-SOI LDMOS相比，CBL LDMOS的击穿电压从477 V提高到847 V，最高工作温度降低了6 K。
An SOI LDMOS with a compound buried layer (CBL) was proposed. The CBL consists of an upper buried oxide layer (UBOX) with a Si window and two oxide steps, a polysilicon layer and a lower buried oxide layer (LBOX). In the blocking state, the electric field strengths in the UBOX and LBOX are increased from 88 V/μm of the buried oxide (BOX) in a conventional SOI (C-SOI) LDMOS to 163 V/μm and 460 V/μm by the holes located on the top interfaces of the UBOX and LBOX, respectively. Compared with the C-SOI LDMOS, the CBL LDMOS increases the breakdown voltage from 477 to 847 V, and lowers the maximal temperature by 6 K.
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DOI：
10.1109/ispsd.1998.702621
发表时间：
1998-06
期刊：
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212)
影响因子：
--
作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
通讯作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
变k介质埋层SOI高压器件的电场和击穿电压新结构及其分析模型
影响因子：
1.7
作者：
通讯作者：
--
DOI：
10.1109/ispsd.1991.146060
发表时间：
1991-04
期刊：
[1991] Proceedings of the 3rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
S. Merchant;E. Arnold;H. Baumgart;S. Mukherjee;H. Pein;R. Pinker
通讯作者：
S. Merchant;E. Arnold;H. Baumgart;S. Mukherjee;H. Pein;R. Pinker
影响因子：
3.1
作者：
C. Ren;J. Cai;Yung C. Liang;P. Ong;N. Balasubramanian;J. Sin
通讯作者：
C. Ren;J. Cai;Yung C. Liang;P. Ong;N. Balasubramanian;J. Sin
影响因子：
4.9
作者：
X. Luo;Bo Zhang;Zhaoji Li;Yufeng Guo;Xinwei Tang;Yong Liu
通讯作者：
X. Luo;Bo Zhang;Zhaoji Li;Yufeng Guo;Xinwei Tang;Yong Liu