High-Gain Operation of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch at 24.3 nJ Excitation
High-Gain Operation of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch at 24.3 nJ Excitation
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GaAs 光电导半导体开关在 24.3 nJ 激励下的高增益运行
DOI：
10.1109/led.2016.2556858
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发表时间：
2016-04
影响因子：
4.9
通讯作者：
Guo Gaoyuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Ming;Liu Rujun;Shang Xiaoyan;Zhang Qin;Shi Wei;Guo Gaoyuan
在这封信中，我们表明，砷化镓光电导开关的高增益（HG）操作可以实现低至24.3毫微焦耳的激发能量。偏置电场为78 kV/cm，相应电流为32.5 A。提出了倍增率的概念，以理解HG操作中的雪崩和倍增水平。
In this letter, we show that the high gain (HG) operation of gallium arsenide photoconductive semiconductor switches can be achieved with an excitation energy as low as 24.3 nano-joules. The bias electric field is 78 kV/cm, and the corresponding current is 32.5 A. The concept of a multiplication rate is proposed to understand the avalanche and multiplication level in the HG operation.
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影响因子：
4
作者：
G. Loubriel;F. Zutavern;H. Hjalmarson;R. R. Gallegos-R.;W. Helgeson;M. O’Malley
通讯作者：
G. Loubriel;F. Zutavern;H. Hjalmarson;R. R. Gallegos-R.;W. Helgeson;M. O’Malley
影响因子：
1.5
作者：
S. Ray;A. Alla;Sabiha Naz;F. Alnahwi;N. Islam;Abdurrahman Al-Aufi
通讯作者：
S. Ray;A. Alla;Sabiha Naz;F. Alnahwi;N. Islam;Abdurrahman Al-Aufi
半绝缘GaAs光电导开关中光激活电荷域的限流效应
影响因子：
4
作者：
通讯作者：
--
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4
作者：
Shi Wei;Jiang Huan;Li Mengxia;Ma Cheng;Gui Huaimeng;Wang Luyi;Xue Pengbo;Fu Zhanglong;Cao Juncheng
通讯作者：
Cao Juncheng
DOI：
10.1109/ppc.1989.767625
发表时间：
1989
期刊：
7th Pulsed Power Conference
影响因子：
--
作者：
M. Pocha;R. Druce;M.J. Wilson;W. W. Hofer-W.
通讯作者：
M. Pocha;R. Druce;M.J. Wilson;W. W. Hofer-W.