Model-Comparison Study of Quasi-Ballistic Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices
Model-Comparison Study of Quasi-Ballistic Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices
复制标题
纳米半导体器件中准弹道电子输运的模型比较研究
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. J. Park
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T-w. Tang;I. Yoon;N. Sano;S. Jin;M. Fischetti;and Y. J. Park
将 MOSFET 缩小至 10 nm：库仑效应、源匮乏和虚拟源
DOI：
10.1109/iwce.2009.5091145
发表时间：
2009
期刊：
2009 13th International Workshop on Computational Electronics
影响因子：
--
作者：
M. Fischetti;S. Jin;T. Tang;P. Asbeck;Y. Taur;S. Laux;N. Sano
通讯作者：
N. Sano
硅纳米线晶体管中载流子反向散射的剖析
DOI：
10.1109/iwce.2009.5091085
发表时间：
2009
期刊：
2009 13th International Workshop on Computational Electronics
影响因子：
--
作者：
Seonghoon Jin;T. Tang;M. Fischetti
通讯作者：
M. Fischetti
纳米级半导体结构中的准弹道输运动力学：室温下可以达到弹道极限吗？
影响因子：
8.6
作者：
N. Sano
通讯作者：
N. Sano