Improved Optoelectronic Properties of Rapid Thermally Annealed Dilute Nitride GaInNAs Photodetectors
Improved Optoelectronic Properties of Rapid Thermally Annealed Dilute Nitride GaInNAs Photodetectors
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快速热退火稀氮化物 GaInNAs 光电探测器光电性能的改进
DOI：
10.1007/s11664-012-2245-9
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发表时间：
2012
影响因子：
2.1
通讯作者：
Tan S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tan S
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温度、氮离子和锑对宽耗尽宽度 GaInNA 的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Ptak;D. Friedman;S. Kurtz
通讯作者：
S. Kurtz
分子束外延制备GaInNAs/GaAs的光学特性
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Shirakata;M. Kondow;T. Kitatani
通讯作者：
T. Kitatani
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y
影响因子：
3.7
作者：
Sanguinetti, S.;Colombo, D.;Franchi, S.
通讯作者：
Franchi, S.
影响因子：
3.2
作者：
J. Ng;W. M. Soong;M. Steer;M. Hopkinson;J. David;J. Chamings;S. Sweeney;A. Adams
通讯作者：
J. Ng;W. M. Soong;M. Steer;M. Hopkinson;J. David;J. Chamings;S. Sweeney;A. Adams