Bias-Modulated High Photoelectric Response of Graphene-Nanocrystallite Embedded Carbon Film Coated on n-Silicon
Bias-Modulated High Photoelectric Response of Graphene-Nanocrystallite Embedded Carbon Film Coated on n-Silicon
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n-硅上涂覆石墨烯-纳米微晶嵌入碳膜的偏置调制高光电响应
DOI：
10.3390/nano9030327
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发表时间：
2019-03
期刊：
影响因子：
5.3
通讯作者：
Dongfeng Diao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xi Zhang;Zezhou Lin;Da Peng;Dongfeng Diao
我们提出垂直生长的偏压调制的石墨烯纳米晶体（GNs）可以增强n-Si衬底上碳膜的光电性能。本文采用电子回旋共振（ECR）溅射技术制备了GN嵌入碳（GNEC）薄膜。在反向二极管偏压下，GNs的Dirac点升高，GNEC薄膜/n-Si器件获得了0.35A/W的高光电流响应。偏置调制的狄拉克点的位置导致在一个可调的开/关比和可变的光谱响应峰值。此外，由于保持了传输通道的直立结构GN，实现了2.2 μs的响应时间。这项工作揭示了偏置控制波长敏感的光电探测器的应用。
We propose that bias-modulated graphene-nanocrystallites (GNs) grown vertically can enhance the photoelectric property of carbon film coated on n-Si substrate. In this work, GN-embedded carbon (GNEC) films were deposited by the electron cyclotron resonance (ECR) sputtering technique. Under a reverse diode bias which lifts the Dirac point of GNs to a higher value, the GNEC film/n-Si device achieved a high photocurrent responsivity of 0.35 A/W. The bias-modulated position of the Dirac point resulted in a tunable ON/OFF ratio and a variable spectral response peak. Moreover, due to the standing structured GNs keeping the transport channels, a response time of 2.2 μs was achieved. This work sheds light on the bias-control wavelength-sensitive photodetector applications.
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DOI：
10.1109/jstqe.2002.800845
发表时间：
2002-07-01
影响因子：
4.9
作者：
Bogaerts, W;Wiaux, V;Baets, R
通讯作者：
Baets, R
ECR等离子体中电子-离子混合辐照对碳膜的结构、形貌和电阻率进行顶面改性
影响因子：
5.4
作者：
Chao Wang;Cheng Chen;Dongfeng Diao
通讯作者：
Dongfeng Diao
影响因子：
3.7
作者：
Devaraj, S.;Munichandraiah, N.
通讯作者：
Munichandraiah, N.
影响因子：
4
作者：
Xi Zhang;Chao Wang;Chang Q. Sun;Dong-feng Diao
通讯作者：
Xi Zhang;Chao Wang;Chang Q. Sun;Dong-feng Diao
影响因子：
4
作者：
An, Yanbin;Behnam, Ashkan;Ural, Ant
通讯作者：
Ural, Ant